| 型号：BSP171PE6327 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-261-4，TO-261AA | 描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
| 系列 | SIPMOS® |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 1.9A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 300 毫欧 @ 1.9A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2V @ 460µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 20nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 460pF @ 25V |
| 功率_最大 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | PG-SOT223-4 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
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